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DDR5 内存加速:Keysight 首发完整测试验证系统

电子测量企业 Keysight Technologies 近日推出了业界第一个完整的 DDR5 DRAM 测试与验证系统“N6475A DDR5 Tx”,为新一代内存的研发打开了方便之门。 这套系统包括 Keysight N6475A DDR5 Tx 兼容测试软件、M8040A 64 Gbaud 高性能比特误码率测试仪 (BERT) 和 Infiniium UXR 系列实时示波器两种硬件,可对 DDR5 内存进行抖动、电子、时序、波形、眼图方面的测试,包括 DDR5 芯片、数据缓冲、寄存器芯片的发射器物理层。 程序会自动将测试结果与 DDR5 标准规范的兼容标准进行对比,展示产品是否通过每一项测试。 在此之前,DDR5 产品的开发者们必须自己设计软件,或者手动执行所有测试、分析,现在有了...阅读全文

DDR5 内存来了:7nm 工艺、4400MHz 频率

DDR4 内存目前还是绝对主流,不断被深入挖潜,频率已经突破 5GHz,不过下一代 DDR5 也已经蠢蠢欲动了。Cadence 公司今天就宣布了 DDR5 的全新进展,无论工艺还是频率都相当领先。 目前,JEDEC 标准组织正在研究 DDR5 内存规范,已经有了初步版本,Cadence 此番拿出的就是面向新规范的第一个 DDR5 IP物理层接口芯片。 该测试芯片采用台积电7nm工艺制造,数据率可达4400MT/s,也就是频率高达4400MHz,相比目前商用最快的DDR4-3200快了多达37.5%。 为了支持Cadence DDR5 PHY物理层的验证和协作,美光也向其提供了DDR5内存初步版本的工程原型。 在此之前,Rambus也曾经提到过7nm工艺下的DDR5 IP,并预计DDR5内存...阅读全文

博文 2018-05-05 06:24:02 debian.cn

DDR5内存最大亮点是啥

美光于前日宣布已经开始向业界中的核心客户出样DDR5内存(RDIMM)了,目前他们在DDR5内存上面使用的是自家最新的1z nm工艺。 JEDEC于2016年就开始制定DDR5 SDRAM规范了,不过到目前为止,DDR5标准仍然处于完善期,JEDEC还没有公布它的最终版本,预计它将会在今年正式完成DDR5标准的制定。反而是LPDDR5快了一步,在去年2月份标准就已经正式公布,并且有厂商已经推出了实际产品,并且在今年已经有移动处理器支持它了。 美光的DDR5技术文档也得以让我们一窥DDR5内存的特性。首先,在同样的等效频率下,DDR5内存能够提供更高的有效带宽,比如同样处于3200MT/s下,DDR5-3200的有效带宽比DDR4-3200的要高出36%;其次是DDR5(在JEDEC标准范围...阅读全文

观点:DDR内存即将谢幕 HBM 3/4内存才是未来

这一年来有关国内公司进军内存产业的消息甚嚣尘上,紫光公司凭借原有的英飞凌、奇梦达基础在DDR3内存上已经作出了突破,小批量生产了DDR3内存,下半年还会推出更主流的DDR4内存芯片,正在努力追赶国际主流水平。但是放眼整个内存市场,DDR5内存很快就要来了,更可怕的是未来即便是DDR5内存也很可能被更新的技术淘汰。 业界已经有人提出了DDR内存将死的看法,未来需要高带宽的产品将转向HBM内存,2020年会有HBM 3内存,2024年则会有HBM 4内存,届时带宽可达8TB/s,单插槽容量可达512GB。 对于HBM内存,DIY玩家可以说也是相当熟悉了,AMD在2015年的Fury系列显卡上首次商用第一代HBM技术,超高的带宽、超低的面积占用彻底改变了当时的显卡设计,随后NVIDIA在...阅读全文

NVDIMM-P非易失内存标准公布:断电不丢数据、兼容DDR4

我们知道,传统的DDR DIMM内存是易失性的,也就是必须维持通电才能保持数据,一旦断电就都没了。 Intel创造了Optane傲腾持久内存,做到了非易失性,也兼容DDR DIMM,但仅用于数据中心,和普通用户无关。 现在,JEDEC固态技术标准协会发布了DDR4 NVDIMM-P非易失内存标准规范,序列编号JESD304-4.01,也可以在断电后不丢失数据,而且完全兼容DDR4内存标准。 根据规范,这种新内存兼容普通的DIMM内存标准、固件,可以最大程度减少对于现有设备、平台的更改,同时为新内存提供了低延迟接口,提高了易用性,未来也会兼容支持DDR5。 NVDIMM-P的新功能: - 持久性:操作系统能够低延迟、高带宽访问非易失内存。 - 虚拟化的内存:在DDR通道启用尽可能多的内存容量...阅读全文

三星谈论下一代DRAM解决方案:GDDR7、DDR5、LPDDR5X和V-NAND

的内存技术组合的承诺。"万亿GB是三星自40多年前开始生产的内存总量,这一万亿中大约有一半是在过去三年里生产的,这表明数字转型的进展有多快,"三星电子总裁兼内存业务主管Jung-bae Lee说。"随着内存带宽、容量和功率效率的进步使新的平台成为可能,而这些反过来又刺激了更多的半导体创新,我们将越来越多地推动在数字共同进化的道路上实现更高水平的整合。"推进数据智能的DRAM解决方案三星的1b级DRAM目前正在开发中,计划在2023年进行大规模生产。为了克服DRAM扩展到10纳米范围以外的挑战,该公司一直在开发图案化、材料和架构方面的颠覆性解决方案,像High-K材料这样的技术正在顺利进行。该公司随后强调了即将推出的DRAM解决方案,如32Gb DDR5 DRAM、8.5Gbps...阅读全文