在这个互联网时代，游戏、电影、照片等数据越来越大，硬盘容量将会面临着前所未有的挑战。虽然传统的机械硬盘可以解决容量问题，但是速度太慢，体验糟糕，并不是最优的个人存储解决方案。我们渴求大容量的SSD，不过超过TB大容量SSD动不动就几千元的售价，对于支付能力有限用户实际上没有意义。SSD的成本主要来源于闪存，在TLC闪存能够实现TB容量可惜价格未能降下来。只有不断开发新类型的闪存，解决容量与价格的矛盾，才能让SSD真正在大数据时代发挥应有作用。 这时，QLC 闪存就应运而生， 目前，东芝和西数先后宣布成功开发基于四比特单元3D NAND闪存芯片，即QLC闪存，这也意味着QLC SSD将要来临。那么，它与TLC闪存又有什么区别，能否取代TLC成为SSD主流闪存之选？ 先来了解一下什么是TLC...阅读全文
在三星宣布量产 QLC SATA SSD 之后，英特尔这边也宣布了自家的最新竞品 —— 价格媲美 SATA 型号、但支持 NVMe 协议的 660p 系列 SSD 。据 Anandtech 所述， 英特尔 660p 采用了自家的 64 层 1-Tb 3D QLC NAND 闪存，容量有 512GB / 1TB / 2TB 三档，但性能表现颇为一致。此外，660p 还搭配了大容量伪 SLC 缓存机制、辅以 256MB DRAM 。 英特尔 660p 系列 SSD 采用了 M.2 2280 封装规格 据悉，512GB 版本可选择调用 6~76GB 的容量当做缓存，1TB 版本可动用 12~140GB，2TB 版本则是 24~280GB 。当然，随着数据的大量写入，SLC 缓存机制的效用会明显下...阅读全文
SLC、MLC、TLC、QLC……NAND闪存类型的进化一直是个争议话题，可靠性和寿命越来越差，或者说P/E编程擦写循环次数越来越低，东芝甚至已经开始探讨PLC，不知道会渣成什么样。对于最初的SLC(每单元只保存1比特数据)，很多人都十分怀念，但如今已经几乎绝迹，只在极少数特殊场合才能看到。 东芝正在打造可视为SLC加强版的XL-Flash，而高端固态存储厂商Greenliant最新打造的NANDrive EX系列SSD产品，更是应用了超长寿的SLC闪存。 Greenliant NANDrive EX并非消费级产品，而是面向高性能计算、工业、交通运输、视频和网络等特殊行业应用，特别是那些需要超长寿命、高可靠性的应用，能长久保持数据完整。 它采用了Greenliant自家专门设计的...阅读全文
。 SSD则是外部存储，用来长久保存数据，属于非易失性存储，断电后数据还在，但是相对速度慢、延迟高，HDD机械硬盘、U盘、光盘等也是此类。 SSD的存储介质是NAND闪存颗粒，需要施加不同的电压、改变内部状态来存储数据，随着时间的流逝、读写次数的增加，会出现物理性的损耗，最终不可用。 NAND闪存的寿命一般用P/E编程擦写次数来描述，写满一次容量就损失一次P/E。 SLC大约是10万次，MLC只有5000次左右，TLC就只大概2000次，QLC仅为1000次上下，所以不得不依靠更多管理技术和算法来辅助，以保持寿命。 但另一方面，SLC、MLC、TLC、QLC的存储密度越来越大，SSD容量也越来越大，写满的概率越来越低，所以整个SSD的实际寿命其实并没有大大缩短，一般应用无需过分担忧寿命问题。...阅读全文
三星的850EVO/PRO以及不带后缀的850固态盘（120GB国行399元）已经发布开卖相当长一段时间了，新品的迹象迟迟看不到。今日有网友从三星北美官网发现了860 PRO已经正式出现。 页面显示，4TB的起售价是1899.99美元（约合1.22万元），型号MZ-76P4T0E。性能方面，连续读取最高560MB/s、连续写入最高530MB/s，妥妥的SATA3。 目前，三星850 EVO在国内提供有4TB的选项，也是SATA3，价格是11399元。此前，860 EVO曾现身串行设备组织官网，显示容量从256GB到4TB。 闪存方面，外媒TMHW此前从线人那里得知，860 EVO将是三星的第一代消费级QLC闪存固态盘，也就是4bits/Cell，而PRO可能还是3D TLC。 简单一提，一...阅读全文
NAND，4D NAND闪存有很强的商业营销味道。 SK Hynix的4D NAND闪存首先会量产TLC类型的，核心容量分别是512Gbt、1Tb，都是96层堆栈，IO接口速度1.2Gbps，不过两者的BGA封装面积是不一样的，1Tb版显然更大一些。 至于QLC类型的，这个未来会是SK Hynix量产的重点，核心容量1Tb，但量产时间会在明年下半年，还需要一些时间。韩联社报道称，SK Hynix公司4日宣布正式宣布96层堆栈的4D NAND闪存，TLC类型，核心容量512Gb，与现有的72层堆栈3D NAND闪存相比，4D NAND闪存的核心面积减少了30%，单片晶圆的生产输出增加了50%，而且性能也更强——读取速度提升30%，写入速度提升25%。 根据官方所说，4D NAND闪存今年内会量产，而...阅读全文
2030年，三星设想堆叠超过1000层，以更好地支持未来的数据密集型技术。随着人工智能和大数据应用推动了对更快和更大容量内存的需求，三星将继续通过加速向四级单元（QLC）过渡来实现位密度的飞跃，同时进一步提高电源效率，支持全球客户更可持续的运营。...阅读全文
