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三星全球首秀3nm工艺 电压只需0.23V

在三星路线图上,14nm、10nm、7nm、3nm都是全新工艺节点,其他则是升级改善型,包括11/8/6/5/4nm等等。三星将在3nm工艺上第一次应用GAAFET(环绕栅极晶体管)技术,再次实现了晶体管结构的突破,比现在的FinFET立体晶体管又是一大飞跃。GAAFET技术又分为两种类型,一是常规GAAFET,使用纳米线(nanowire)作为晶体管的鳍(fin),二是MBCFET(多桥通道晶体管),使用的鳍更厚更宽一些,称之为纳米片(nanosheet)。三星的第一颗3nm SRAM芯片用的就是MBCFET,容量256Gb,面积56平方毫米,最令三星骄傲的就是超低功耗,写入电流只需要区区0.23V,这要感谢MBCFET的多种省电技术。按照三星的说法,3GAE工艺相比于其...阅读全文

博文 2021-03-14 21:41:34 cnBeta.COM