SK海力士宣布，已经成功研发出新一代DRAM内存“HBM2E”，可视为HBM2的增强版，拥有业界最高的传输带宽，相比现在的HBM2提升了大约50％，同时容量也翻了一番。
SK海力士的HBM2E每个针脚传输速率为3.6Gbps，搭配1024-bit位宽的话可以提供超过460GB/s的超高带宽，无可比拟。
AMD Radeon VII显卡曾经率先实现1TB/s的显存带宽，但应用了4096-bit的位宽，如果换成HBM2E总带宽可以轻松超过1.8TB/s。
同时得益于TSV硅通孔技术，HBM2E内存可以最多垂直堆叠八颗16Gb芯片，单颗封装总容量因此可达16GB，是目前的两倍。
SK海力士表示，超高带宽的HBM2E可用于工业4.0、高端GPU显卡、超级计算机、机器学习、AI人工智能等各种尖端领域。
而且不同于传统DRAM必须单独封装、占用主板面积，HBM系列可以与GPU芯片、逻辑芯片等整合封装在一起，彼此距离可以做到仅仅几个微米，大大节省整体面积，也能保证更快的数据传输。
SK海力士是第一个搞定HBM的，时间是2013年。SK海力士未透露HBM2E何时量产出货，看样子还要等一段时间。
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