中国投资130亿元量产相变内存 比闪存快1000倍

全球的内存市场主要被三星、SK Hynix和美光三家公司垄断，他们三家加起来的份额高达95%，中国要想在内存市场突破封锁并不容易，尽管有紫光、长鑫、兆易创新等公司投身存储芯片市场，但在现有的DDR内存技术上，中国公司技术、产能还差得远呢。

此外，内存也不止传统的DDR技术，还有很多新兴领域正在发展，比如PCM相变存储，相比传统内存它的优势很多，比如速度快了1000倍，耐用性也是传统内存的1000倍，江苏淮安市时代芯存公司投资130亿元建设了国内最大的相变存储基地，上周已经开始正式运营，预计年产值45亿元。

来自中国江苏网的消息称，淮安市集成电路产业现场推进暨江苏时代芯存半导体有限公司相变存储器工厂竣工运营启动仪式在淮安高新技术产业开发区顺利举行，此举标志着130亿元投资的相变存储项目开始进入运营阶段。这个项目2017年11月份完成了厂房封顶，并完成了设备采购，从开工到封顶不到9个月时间，今年3月底开始运营。

根据之前的消息，江苏淮安的这个项目总投资130亿元，一期投资43亿元，建成后将年产10万片12英寸PCM相变存储芯片。相变存储芯片被成为21世纪的存储芯片标准，与传统存储芯片（比如内存）相比，它是一种非易失性存储芯片，但是速度达到了传统存储芯片的1000倍，同时可靠性是后者的1000倍——当然这些指标都是理论上的。

目前量产的PCM存储芯片并没有这么强，Intel的3D XPoint闪存据说就是一种PCM存储芯片，只不过一直没有被证实，而它宣传的特点就是性能是闪存的1000倍，可靠性也是闪存的1000倍，同时容量密度是闪存的10倍。